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[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法-CN202111226933.9在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法，硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形；硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料；设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连；设置于硅异质结主体下表面的导电图形，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形，相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连，提高组件良率和可靠性，可最大限度地提高焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性
具有电极贯穿硅异质结电池及其制备方法

[实用新型]一种异质结无主栅电池组件-CN202120833254.7有效
发明人：傅松楠;罗骞;尤宇文;谢延权;何广东 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结无主栅电池组件，多个异质结无主栅电池片；设在异质结无主栅电池片正面的导电胶；设在导电胶上的多个互联条；设在互联条上的胶膜，设在胶膜上的压花玻璃；设在异质结无主栅电池片背面的导电胶本实用新型通过提供一种异质结无主栅电池片，可节省35％的低温银浆耗量；通过将互联条与电池栅线在层压过程实现良好的欧姆接触的方式，取代传统的串焊工艺，可有效改善组件虚焊、过焊等不良，有利于异质结电池的产业化推进
一种异质结无主电池组件

[实用新型]一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管-CN201320060399.3有效
发明人：彭应全;吕文理;罗消 -专利权人：兰州大学
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管，其特征是它由衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层、有机体异质结光敏层、源极和漏极组成，有机载流子输运层一面与栅介质相连，而另一面与有机体异质结光敏层相连，形成混合平面一体异质结；有机体异质结光敏层一面与有机载流子输运层相连，并与其形成混合平面一体异质结，另一面与源极和漏极相连；栅介质、源极和漏极可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触的结构
一种混合平面体异质结光敏有机场效应

[发明专利]具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法-CN201910440263.7有效
发明人：段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该横向晶体管中，外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，从而使具有结型栅和AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。氮化镓外延层与衬底之间的异质结优化了晶体管的纵向电场分布，提高了器件的击穿电压；同时，采用结型栅可以获得增强型器件。
具有结型栅 algan gan 异质结横向晶体管及其制作方法

[发明专利]P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法-CN201810709666.2有效
发明人：王冲;黄泽阳;何云龙;郑雪峰;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种P‑GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法，包括步骤：在基片上依次生长GaN层和AlGaN势垒层形成AlGaN/GaN异质结；在异质结上生长P‑GaN帽层；对异质结进行台面隔离和刻蚀，形成栅鳍；在P‑GaN帽层以及异质结表面形成栅极区掩膜图形，刻蚀除栅极区掩膜图形以外的P‑GaN帽层；在异质结两侧制作源、漏电极；在P‑GaN帽层的区域淀积栅金属，形成FinFET栅结构栅电极，其中，栅金属覆盖在P‑GaN帽层顶部及侧壁，覆盖异质结的侧壁；制作电极引线。该器件及制作方法采用P‑GaN帽层结构，结合三维栅控的FinFET结构，增强器件的跨导和栅控能力，提高了器件的阈值电压和稳定性。
gan finfet 增强器件制作方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010989144.X在审
发明人：吴华德;姚铮;张达奇;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及的异质结太阳能电池包括电池片本体以及设置于所述电池片本体表面的集电极，所述集电极包括设置于所述电池片本体表面的主栅以及垂直连接至所述主栅的副栅，所述副栅具有部分搭接于所述主栅背离所述电池片本体一侧表面的第一副栅部；基于本发明所提供异质结太阳能电池的具体结构，第一副栅部与主栅之间的搭接方式可以使得主栅与副栅之间形成可靠的电性连接，可有效避免现有技术中出现主栅与副栅于连接位置处断开的风险，确保异质结太阳能电池光生电流收集的效果，可优化异质结太阳能电池的光电转化效率。
异质结太阳能电池及其制作方法

[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件-CN202022068048.X有效
发明人：吴华德;姚铮;张达奇;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及的异质结太阳能电池中集电极包括设置于第一透明导电膜和/或所述第二透明导电膜表面的主栅以及垂直连接至所述主栅的副栅，所述副栅具有部分搭接于所述主栅背离单晶硅衬底一侧表面的第一副栅部；基于本实用新型所提供异质结太阳能电池的具体结构，第一副栅部与主栅之间的搭接方式可以使得主栅与副栅之间形成可靠的电性连接，可有效避免现有技术中出现主栅与副栅于连接位置处断开的风险，确保异质结太阳能电池光生电流收集的效果，可优化异质结太阳能电池的光电转化效率。
异质结太阳能电池组件

[发明专利]一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构及制备方法-CN202310384509.X在审
发明人：王凯;吴畅;郭涛;刘捷龙;李程程 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T‑Gate Fin‑HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。该结构既实现了Fin结构的侧栅和顶栅的耦合，同时引入了不同Fin宽的阈值耦合，实现了器件的高线性度。
一种高频线性多级沟道 gate fin hemt 结构制备方法

[发明专利]多沟道鳍式结构的绝缘栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管-CN201510847082.8在审
发明人：王冲;魏晓晓;何云龙;郑雪峰;马晓华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种多沟道鳍式结构的绝缘栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、栅漏电大及鳍式结构器件电流低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)、绝缘栅介质层(5)和源漏栅电极，源漏电极分别位于SiN层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层异质结与SiN层之间设有GaN和AlGaN层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；绝缘栅介质层覆盖在第二层异质结顶部并包裹第一层及第二层异质结的两侧壁；栅电极位于绝缘栅介质层上。本发明器件栅控能力强，饱和电流大，栅漏电低，可用于短栅长低功耗低噪声微波功率器件。
沟道结构绝缘 algan gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法-CN202111237278.7在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
具有电极贯穿硅异质结电池组及其制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池串及相应异质结太阳能电池的制作方法-CN202011205573.X在审
发明人：许涛;邓士锋 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池串及相应异质结太阳能电池的制作方法，其中所涉及的异质结太阳能电池包括电池片本体、设置于电池片本体受光面一侧的第一透明导电膜层、以及设置于电池片本体背光面一侧的第二透明导电膜层，异质结太阳能电池还包括设置于第一透明导电膜层和/或第二透明导电膜层表面且延伸方向与第一方向垂直的复合副栅，复合副栅包括第一栅线层以及设置于第一栅线层背离电池片本体一侧表面的第二栅线层，第二栅线层与第一栅线层材质不同且覆盖第一栅线层于宽度方向上相对的两侧表面；本发明所涉及异质结太阳能电池中，提供了一种不同于传统低温浆料所印制副栅结构的复合副栅，为异质结太阳能电池的集电极制作提供更多选择。
异质结太阳能电池相应制作方法

[发明专利]一种无主栅异质结太阳电池及其制备的叠瓦组件-CN202110902743.8在审
发明人：孙玉海;宋艳 -专利权人：苏州卡睿杰新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种无主栅异质结太阳电池及其制备的叠瓦组件，其特征在于本发明所述异质结太阳电池只需印刷细栅线来收集电流，无需传统太阳电池的主栅线。无主栅异质结太阳电池的电流汇集及电池片之间的互联，则通过制备叠瓦组件时位于太阳电池片之间的导电胶来完成，从而减少异质结太阳电池的银浆用量，使叠瓦组件成本大幅度地降低。
一种无主栅异质结太阳电池及其制备组件

[实用新型]一种无主栅异质结太阳电池制备的叠瓦组件-CN202121822385.1有效
发明人：孙玉海;宋艳 -专利权人：苏州卡睿杰新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种无主栅异质结太阳电池制备的叠瓦组件，其特征在于本发明所述异质结太阳电池只需印刷细栅线来收集电流，无需传统太阳电池的主栅线。无主栅异质结太阳电池的电流汇集及电池片之间的互联则通过制备叠瓦组件时位于太阳电池片之间的导电胶来完成，从而减少异质结太阳电池的银浆用量使叠瓦组件成本大幅度地降低。
一种无主栅异质结太阳电池制备组件

[发明专利]一种无银浆制栅线电极的异质结光伏电池-CN202110153483.9在审
发明人：黄子健 -专利权人：苏州元昱新能源有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种分布在异质结光伏电池正面和反面导电透明氧化物膜上无银浆制栅线电极结构，利用透明导电氧化物膜的导电和低电阻率特性，只在透明导电氧化物膜上设置主栅线电极，汇集载流子，不再设置细栅电极。利用低温焊锡合金和电池透明导电氧化物膜通过超声波焊接焊接，形成主栅电极。实现不使用银浆，无细栅线电极的异质结电池栅线电极结构。主栅电极通过焊接或导电胶粘接和金属焊带连接，并通过金属焊带，实现相邻异质结电池间的电学连接，形成所述异质结光伏电池组件。本发明取消细栅电极，减少了细栅电极遮挡电池的受光面积，提高电池效率。同时，所述电池的主栅电极不再采用银浆制造，极大幅度降低了异质结光伏电池的生产成本。
一种无银浆制栅线电极异质结光伏电池

[发明专利]一种异质结光伏电池栅线电极制作方法-CN202110153567.2在审
发明人：黄子健;刘仁生 -专利权人：苏州元昱新能源有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结光伏电池栅线电极制作方法，包括通过使用超声波焊接装置，利用超声波的空洞效应，将熔化状态低温焊锡合金直接与异质结光伏电池表面上透明导电膜焊接并电学连接，焊头连续移动形成直线焊锡合金栅线电极，或利用超声波焊接装置，将金属焊带直接静压在电池表面透明导电膜上，利用超声波将振动能量转成摩擦生热效应，直接将金属焊带表面层熔化焊接在导电膜上并电学连接，形成电池栅线电极。电池栅线电极分布在异质结光伏电池正电极表面透明导电膜上和负电极表面透明导电膜上。本发明的异质结电池栅线电极制作方法，取代了用低温银浆制作电池栅线电极的工艺，降低了异质结光伏电池的生产成本，提高了异质结电池长期使用可靠性。
一种异质结光伏电池电极制作方法

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